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Laser annealing of P and Al implanted 4H-SiC epitaxial layers
2019-01-01 Calabretta, C.; Agati, M.; Zimbone, M.; Boninelli, S.; Castiello, A.; Pecora, A.; Fortunato, G.; Calcagno, L.; Torrisi, L.; La Via, F.
Defects in SiC: from hetero-epitaxial growth to ion implantation
2020-11-24 Calabretta, Cristiano
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Laser annealing of P and Al implanted 4H-SiC epitaxial layers | 1-gen-2019 | Calabretta, C.; Agati, M.; Zimbone, M.; Boninelli, S.; Castiello, A.; Pecora, A.; Fortunato, G.; Calcagno, L.; Torrisi, L.; La Via, F. | |
Defects in SiC: from hetero-epitaxial growth to ion implantation | 24-nov-2020 | Calabretta, Cristiano |
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