Characteristics of laser-produced Ge ion fluxes used for modification of semiconductor materials

Wolowski, J; Badziak, J; Czarnecka, A; Boody, Fp; Gammino, S; Krasa, J; Laska, L; Mezzasalma, Angela Maria; Parys, P; Rosinski, M; Rohlena, K; Torrisi, Lorenzo; Ullschmied, J.

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Characteristics of laser-produced Ge ion fluxes used for modification of semiconductor materials / WOLOWSKI J; BADZIAK J; CZARNECKA A; BOODY FP; GAMMINO S; KRASA J; LASKA L; MEZZASALMA A.M.; PARYS P; ROSINSKI M; ROHLENA K; TORRISI L; ULLSCHMIED J. - In: RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS. - ISSN 1042-0150. - 160(2005), pp. 477-482. ((Intervento presentato al convegno 2nd International Workshop on Production of Intense Beams of Highly Charged Ions and Pulse Plasma Laser Ablation tenutosi a Giardini Naxos, ITALY nel JUN 08-11, 2005.

Titolo:	Characteristics of laser-produced Ge ion fluxes used for modification of semiconductor materials
Autori:	WOLOWSKI J BADZIAK J CZARNECKA A BOODY FP GAMMINO S KRASA J LASKA L MEZZASALMA, Angela Maria PARYS P ROSINSKI M ROHLENA K TORRISI, Lorenzo ULLSCHMIED J. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2005
Rivista:	RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS
Handle:	http://hdl.handle.net/11570/1435415
Appare nelle tipologie:	14.a.2 Proceedings in extenso su rivista

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