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EnglishCharacteristics of laser-produced Ge ion fluxes used for modification of semiconductor materials / WOLOWSKI J; BADZIAK J; CZARNECKA A; BOODY FP; GAMMINO S; KRASA J; LASKA L; MEZZASALMA A.M.; PARYS P; ROSINSKI M; ROHLENA K; TORRISI L; ULLSCHMIED J. - In: RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS. - ISSN 1042-0150. - 160(2005), pp. 477-482. ((Intervento presentato al convegno 2nd International Workshop on Production of Intense Beams of Highly Charged Ions and Pulse Plasma Laser Ablation tenutosi a Giardini Naxos, ITALY nel JUN 08-11, 2005.
http://hdl.handle.net/11570/1435415| Titolo: | Characteristics of laser-produced Ge ion fluxes used for modification of semiconductor materials |
| Autori interni: | MEZZASALMA, Angela Maria TORRISI, Lorenzo |
| Data di pubblicazione: | 2005 |
| Rivista: | RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11570/1435415 |
| Appare nelle tipologie: | 14.a.2 Proceedings in extenso su rivista |
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