Long Term Noise Measurements to Characterize Electromigration in Metal Lines of ICs

Ciofi, Carmine; Dattilo, V.; Neri, B.; Foley, S.; Mathewson, A.

doi:10.1109/IPFA.1999.791321

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Proceedings of the 1999 7th International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits; Singapore, Singapore; 5 July 1999 through 9 July 1999; Code 56210

Titolo:	Long Term Noise Measurements to Characterize Electromigration in Metal Lines of ICs
Autori:	CIOFI, Carmine DATTILO V. NERI B. FOLEY S. MATHEWSON A. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1999
Abstract:	Proceedings of the 1999 7th International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits; Singapore, Singapore; 5 July 1999 through 9 July 1999; Code 56210
Handle:	http://hdl.handle.net/11570/1582546
ISBN:	9780780351875
Appare nelle tipologie:	14.d.3 Contributi in extenso in Atti di convegno

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