Interface states and traps in thin N2O-grown oxynitride/oxide di-layer for PowerMOSFET devices
NERI, Fortunato
2006-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.