Non-quasi-static modeling of the intrinsic Y22 for GaN, Si, and GaAs mm-wave FET technologies

Crupi, Giovanni; Caddemi, Alina; Schreurs, D. M. M. P.; Raffo, A.; Avolio, G.; Homayouni, M.; Vannini, G.

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Non-quasi-static modeling of the intrinsic Y22 for GaN, Si, and GaAs mm-wave FET technologies / G. Crupi; A. Caddemi; D. M. M.-P. Schreurs; A. Raffo; G. Avolio; M. Homayouni; G. Vannini. - (2010), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno European Radar Conference (EuRAD) tenutosi a Paris, France nel 30 September - 1 October 2010.

Titolo:	Non-quasi-static modeling of the intrinsic Y22 for GaN, Si, and GaAs mm-wave FET technologies
Autori:	CRUPI, Giovanni CADDEMI, Alina D. M. M. P. Schreurs A. Raffo G. Avolio M. Homayouni G. Vannini mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2010
Handle:	http://hdl.handle.net/11570/1907945
ISBN:	9781424472345
Appare nelle tipologie:	14.d.3 Contributi in extenso in Atti di convegno

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