Non-quasi-static modeling of the intrinsic Y22 for GaN, Si, and GaAs mm-wave FET technologies / Crupi, Giovanni; Caddemi, Alina; D. M. M. P., Schreurs; A., Raffo; G., Avolio; M., Homayouni; G., Vannini. - (2010), pp. 316-319. ((Intervento presentato al convegno European Radar Conference (EuRAD) tenutosi a Paris, France nel 30 September - 1 October 2010.
Titolo: | Non-quasi-static modeling of the intrinsic Y22 for GaN, Si, and GaAs mm-wave FET technologies |
Autori: | CRUPI, Giovanni (Primo) CADDEMI, Alina (Secondo) |
Data di pubblicazione: | 2010 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11570/1907945 |
ISBN: | 9781424472345 |
Appare nelle tipologie: | 14.d.3 Contributi in extenso in Atti di convegno |
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