A magnetic random-access memory device that has an antiferromagnetic material as its storage element can be electrically read using ferromagnetic tunnelling.
Current-controlled antiferromagnetic memory
Garesci Francesca
Secondo
;Finocchio G.Ultimo
2023-01-01
Abstract
A magnetic random-access memory device that has an antiferromagnetic material as its storage element can be electrically read using ferromagnetic tunnelling.File in questo prodotto:
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